[实用新型]超薄IGBT芯片及利用该芯片封装的功率模块有效
| 申请号： | 201520767211.8 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN205122592U | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 步建康;徐朝军;李士垚 | 申请（专利权）人： | 河北昂扬微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄科诚专利事务所 13113 | 代理人： | 张红卫;刘谟培 |
| 地址： | 050000 河北省石家庄市裕*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超薄IGBT芯片及利用该芯片封装的功率模块，所述超薄IGBT芯片包括沟槽，在沟槽内设有多晶硅，在沟槽上设有用于密封多晶硅、具有压缩型表面张力的TEOS层，所述TEOS层上层叠有张力型表面张力层。本实用新型的结构简单、成本低，保证晶圆的形变最小或者不发生形变的同时提高晶圆的利用率。本实用新型适用于任意超薄IGBT芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 igbt 芯片 利用 封装 功率 模块 | ||
【主权项】：
一种超薄IGBT芯片，包括沟槽（11），在沟槽（11）内设有多晶硅（12），在沟槽（11）上设有用于密封多晶硅（12）、具有压缩型表面张力的TEOS层（13），其特征在于：所述TEOS层（13）上层叠有张力型表面张力层（14）。
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