[实用新型]包含掺杂缓冲层和沟道层的半导体结构有效
| 申请号： | 201520849819.5 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN205264712U | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | P·莫恩斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/207 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及包含掺杂缓冲层和沟道层的半导体结构，包括衬底、在衬底上面的高电压阻挡层、在高电压层上面的掺杂缓冲层、和在掺杂缓冲层上面的沟道层，其中掺杂缓冲层和沟道层包含相同的化合物半导体材料，掺杂缓冲层具有在第一载流子杂质浓度的载流子杂质类型，沟道缓冲层具有在小于第一载流子杂质浓度的第二载流子杂质浓度的载流子杂质类型。在实施例中，沟道层具有至少650nm的厚度。在另一实施例中，高电压阻挡层包含与掺杂缓冲层相邻的1000nm厚的近侧区域，并且，近侧区域、掺杂缓冲层和沟道层中的每一个具有小于5×1015原子/cm3的Fe杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 掺杂 缓冲 沟道 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于包括：衬底；在衬底上面的高电压阻挡层；在高电压层上面的掺杂缓冲层；和在掺杂缓冲层上面并且具有至少650nm的厚度的沟道层，其中，掺杂缓冲层和沟道层包含相同的化合物半导体材料，以及，掺杂缓冲层具有在第一载流子杂质浓度的载流子杂质类型，沟道缓冲层具有在小于第一载流子杂质浓度的第二载流子杂质浓度的载流子杂质类型。
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