[实用新型]一种识别芯片有效
| 申请号： | 201520864286.8 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN205194732U | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 杨杰;常文斌;林宇杰 | 申请（专利权）人： | 上海博恩世通光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种识别芯片，所述识别芯片自下而上依次包含：生长衬底，发光外延层，透明导电层，反射镜层，阻挡层，N电极扩散层，钝化层，电极，所述钝化层具有第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应所述P电极区域，所述第一预留区域、第二预留区域包含特定的标识信息。本实用新型提供一种识别芯片及其制作方法可用于解决现有技术中不同芯片或者芯片电极难以识别的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 识别 芯片 | ||
【主权项】：
一种识别芯片，其特征在于，所述识别芯片包含：生长衬底；发光外延层，形成于所述衬底上表面；透明导电层，形成于所述发光外延层上表面；反射镜层，形成于所述透明导电层上表面；阻挡层，形成于所述反射镜层上表面，所述阻挡层具有N孔区域和P孔区域；N电极扩散层，形成于所述阻挡层上表面，所述N电极扩散层具有N孔区域；钝化层，形成于所述阻挡层上表面，所述钝化层具有第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应P电极区域；电极层，形成于所述钝化层上表面；其中，所述第一预留区域、第二预留区域包含标识信息。
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