[实用新型]背凹超减薄晶圆的电性测试装置有效
| 申请号： | 201520931761.9 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN205177790U | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李磊 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 215617 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及晶圆电性能测试技术领域，一种背凹超减薄晶圆的电性测试装置，包括测试台盘、限位装置、水银筒和液面计；所述测试台盘上表面设置有真空槽，所述真空槽与真空源连通，利用真空槽将晶圆固定在所述测试台盘上，所述晶圆背面中心与测试台盘之间形成间隙，所述测试台盘上还设置有贯通所述测试台盘的通孔，测试台盘上表面设置有若干与所述通孔连通的导流槽；限位装置设置在测试台盘上表面，且位于所述真空槽的外侧，水银筒通过管道与通孔连通；液面计所述间隙连通，液面计通过管道与所述水银筒连通，所述液面计与所述水银筒连通的管道上设置有阀门。能够提高了测试的成功率，能够有效取得WAT参数，避免了工艺波动造成大量报废的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 背凹超减薄晶圆 测试 装置 | ||
【主权项】：
一种背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于：包括测试台盘(1)、限位装置、水银筒(3)和液面计(2)；所述测试台盘(1)上表面设置有真空槽(11)，所述真空槽(11)与真空源连通，利用真空槽(11)将晶圆(5)固定在所述测试台盘(1)上，所述晶圆(5)背面中心与测试台盘(1)之间形成间隙，所述测试台盘(1)上还设置有贯通所述测试台盘(1)的通孔(12)，所述的测试台盘(1)上表面设置有若干与所述通孔(12)连通的导流槽(14)；所述的限位装置设置在测试台盘(1)上表面，且位于所述真空槽(11)的外侧，所述的水银筒(3)通过管道与所述通孔(12)连通；所述的液面计(2)与所述间隙连通，所述的液面计(2)通过管道与所述水银筒(3)连通，所述液面计(2)与所述水银筒(3)连通的管道上设置有阀门(21)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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