[实用新型]一种高效发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201521027641.2 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN205282496U | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;方天足;陈亮 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市翔安区厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及发光二极管的技术领域，特别是公开一种高效发光二极管芯片，包括一衬底，一缓冲层，一非故意掺杂层，一N型导电层，一有源区，一电子阻挡层，一P型导电层，一P型接触层，一电流阻挡层，一ITO导电层，一P电极，一N电极以及一电极隔离层。本实用新型无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种高效发光二极管芯片，其特征在于：包括一衬底；一缓冲层，设置于所述衬底上表面；一非故意掺杂层，设置于所述缓冲层上表面；一N型导电层，设置于所述非故意掺杂层上表面；一有源区，设置于所述N型导电层的左侧部分上表面；一电子阻挡层，设置于所述有源区上表面；一P型导电层，设置于所述电子阻挡层上表面；一P型接触层，设置于所述P型导电层上表面；一电流阻挡层，设置于所述P型接触层的左侧部分上表面；一ITO导电层，设置于所述P型接触层的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层完全覆盖所述P型接触层；一P电极，设置于所述电流阻挡层上表面；一N电极，设置于所述N型导电层的右侧部分，且深入到所述N型导电层的高掺部分；以及一电极隔离层，设置于所述N电极与所述有源区、电子阻挡层、P型导电层、P型接触层和ITO导电层的右侧表面之间。
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