[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201580000336.0 | 申请日： | 2015-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN105103274A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 森口尚树 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/683;H05H1/46 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 芮玉珠 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 装置 处理 | ||
【主权项】：
一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体中将基板吸附于单极式静电卡盘上之后，停止生成所述第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体中对所述基板进行了蚀刻之后，停止生成所述第2等离子体，在所述第1工序中，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了正电压的状态下停止生成所述第1等离子体，在所述第2工序中，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了负电压的状态下停止生成所述第2等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
