[发明专利]微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备有效
| 申请号： | 201580001212.4 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN105493297B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;王喆 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 杨国权;马佑平 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备。该用于微发光二极管转移的方法包括：在激光透明的原始衬底上形成微发光二极管；在接收衬底上设置各向异性导电层；使微发光二极管与接收衬底上的各向异性导电层接触；从原始衬底侧用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管；以及对各向异性导电层进行处理，使得微发光二极管与接收衬底上的接垫电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 转移 方法 制造 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于微发光二极管转移的方法，包括：在激光透明的原始衬底上形成微发光二极管；在接收衬底上设置各向异性导电层；使微发光二极管与接收衬底上的各向异性导电层接触；从原始衬底侧用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管；以及通过使用辅助衬底，从微发光二极管侧对各向异性导电层施加压力，对各向异性导电层进行处理，使得微发光二极管与接收衬底上的接垫电连接，其中，在辅助衬底的表面上涂覆有临时键合聚合物，以及对各向异性导电层进行处理的步骤还包括：经由临时键合聚合物将辅助衬底与各向异性导电层键合；以及在施加压力之后，经由临时键合聚合物对辅助衬底进行解键合，以移除辅助衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于歌尔股份有限公司，未经歌尔股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580001212.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种数字化矢量智能盲道和盲杖
- 下一篇：中风患者早期康复训练的辅助器械
