[发明专利]薄膜晶体管装置、显示器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201580001765.X 申请日: 2015-08-24
公开(公告)号: CN105637645B 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 魏鹏;余晓军;袁泽;赵继刚;罗浩俊;刘自鸿 申请(专利权)人: 深圳市柔宇科技有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;G02F1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 广东省深圳市南山区科技园*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种薄膜晶体管(TFT)装置(200),显示器及薄膜晶体管装置(200)的制造方法。该TFT装置(200)包括第一导电层(204),其包括栅极(204a)及连接垫(204b)。该TFT装置还包括覆盖该栅极(204a)的第一介电层(206)。该连接垫(204b)从该第一介电层(206)暴露。该TFT装置(200)还包括设置在该第一介电层(206)上且与该栅极(204a)重叠的半导体层(208)。该TFT装置(200)还包括设置在该半导体层(208)及该第一介电层(206)上以暴露该半导体层(208)的第一部分及第二部分及该连接垫(204b)的第二介电层(210)。该TFT装置(200)还包括第二导电层(212),其包括覆盖该半导体层(208)的该第一部分的源极部(212b)、延伸至该源极部(212b)的像素电极部(212a)、覆盖该半导体层(208)的该第二部分的漏极部(212c)及设置在该连接垫(204b)上并延伸至该漏极部(212c)的互连部(212d)。
搜索关键词: 薄膜晶体管 装置 显示器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管装置,其特征在于,在一个像素区域中,包括:设置有栅极、垫区域、行线的第一导电层;覆盖该栅极的第一介电层,所述垫区域的连接垫从该第一介电层暴露;设置在该第一介电层上且与该栅极重叠的半导体层;所述半导体层包括第一半导体区域以及第二半导体区域;设置在该半导体层及该第一介电层上的第二介电层;所述第二介电层包括在第二介电层中以到达第一半导体区域的第一开口及第二开口,及均在第一及第二介电层中以分别到达垫区域及所述像素区域行线的第三及第四开口,及在第二介电层中以到达第二半导体区域的第五开口及第六开口,第一开口及第二开口暴露第一半导体区域的多个表面,第三开口暴露所述垫区域的一个表面,第四开口暴露所述行线的一个表面,第五开口以及第六开口暴露所述第二半导体区域的多个表面;包括列线、垫区域、以及像素电极部的第二导电层;所述列线覆盖所述第一开口并连接所述第一半导体区域;所述第二导电层的垫区域覆盖所述第二开口及第三开口并连接所述第一半导体区域及第一导电层的垫区域;所述第二导电层的垫区域与所述行线的一部分重叠以形成电容;所述第二导电层的垫区域覆盖所述第四开口及第五开口,并连接所述行线和第二半导体区域;所述第二导电层的垫区域覆盖第六开口并延伸至所述像素电极部。
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