[发明专利]阻挡膜及制备该阻挡膜的方法有效
| 申请号： | 201580002215.X | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN105636774B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 黄樯渊;金东烈 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | B32B7/04 | 分类号： | B32B7/04;B32B9/00;B32B27/06 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 张皓,徐琳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种阻挡膜和制造该阻挡膜的方法，并提供一种用于例如有机或无机发光设备、显示设备和光伏设备等的阻挡膜，因而有效地阻隔了湿气或化学物质(如氧)，以保护内部电子元件，同时保持优异的光学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻挡膜，其依序包括基底层、无机层和树脂层，并包括存在于所述基底层与所述无机层之间的第一介电层和存在于所述无机层与所述树脂层之间的第二介电层，以及满足以下表达式1或表达式2：[表达式1]np≤ns≤n1<ni[表达式2]np≤ns≤n2<ni在表达式1和表达式2中，np为所述树脂层的折射率，ns为所述基底层的折射率，n1为所述第一介电层的折射率，n2为所述第二介电层的折射率，以及ni为所述无机层的折射率，以及其中，当n1大于n2(n1>n2)时，所述第一介电层具有小于450nm的厚度，以及当n2大于n1(n2>n1)时，所述第二介电层具有小于450nm的厚度。
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