[发明专利]半导体装置用接合线有效
| 申请号： | 201580002609.5 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN107041160B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 小田大造;江藤基稀;山田隆;榛原照男;大石良;宇野智裕;小山田哲哉 | 申请（专利权）人： | 日铁住金新材料股份有限公司;新日铁住金高新材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C9/00;C22F1/08 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种适合车载用装置的接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层，该接合线包含0.011～1.2质量％的In，Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。因此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材含有分别为0.05～1.2质量％的Pt、Pd、Rh、Ni中的1种以上时，能够提高在175℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成Au表皮层时，楔接合性改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有Cu合金芯材和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层，所述接合线包含In，相对于线整体，In的浓度为0.031质量％以上且1.2质量％以下，所述Pd被覆层的厚度为0.015μm以上且0.150μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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