[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置有效
| 申请号： | 201580007858.3 | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN107533961B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 福田祐介;渡部善之 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 碳化硅半导体装置(100)的制造方法，包括：在碳化硅晶片(10)的表面侧形成表面电极(30)的工序；从背面侧将碳化硅晶片(10)变薄，从而将碳化硅晶片(10)薄板化的工序；在薄板化后的碳化硅晶片(10)的背面设置金属层(21)的工序；在施加外力使碳化硅晶片(10)以及金属层(21)平坦化的状态下，对金属层(21)进行激光照射从而在金属层(21)的背面侧形成与碳化硅晶片(10)中的碳反应后的碳化物层(20)的工序；以及在碳化物层(20)的背面侧形成背面电极(40)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 基体 以及 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在碳化硅晶片的表面侧形成表面电极的工序；从背面侧使所述碳化硅晶片变薄，从而将所述碳化硅晶片薄板化的工序；在薄板化后的所述碳化硅晶片的所述背面设置金属层的工序；在施加外力使所述碳化硅晶片以及所述金属层平坦化的状态下，对所述金属层进行激光照射从而在所述金属层的背面侧形成与所述碳化硅晶片中的碳反应后的碳化物层的工序；以及在所述碳化物层的背面侧形成背面电极的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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