[发明专利]选择性导电阻挡层形成有效
| 申请号： | 201580009551.7 | 申请日： | 2015-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN106030792B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | J·J·徐;J·J·朱;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 周敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括具有将第一互连层(110)耦合至沟槽(302)的通孔(304)的管芯。该半导体器件还包括在沟槽的侧壁和毗邻表面上以及在通孔的侧壁上的阻挡层(306)。该半导体器件具有在第一互连层的表面上的掺杂导电层(308)。该掺杂导电层在通孔的侧壁之间延伸。该半导体器件进一步包括在通孔和沟槽两者中的在阻挡层上的导电材料(202)。该导电材料在布置在第一互连层的表面上的掺杂导电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 导电 阻挡 形成 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：包括将第一互连层耦合至沟槽的通孔的管芯；在所述沟槽的侧壁和毗邻表面上以及在所述通孔的侧壁上的阻挡层，所述阻挡层包括直接在所述第一互连层的表面上的第一侧壁部分和第二侧壁部分；直接在所述第一互连层的所述表面上的掺杂导电层，所述掺杂导电层在所述通孔的相对的侧壁上的所述阻挡层的所述第一侧壁部分和所述第二侧壁部分之间延伸；以及填充在所述通孔和所述沟槽两者中的在所述阻挡层上的导电材料，所述导电材料被直接布置在与所述第一互连层的所述表面相对的所述掺杂导电层的表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580009551.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据传输方法及装置、智能电子设备
- 下一篇：照明灯具及其盖体组件
