[发明专利]基体涂覆方法和装置在审
申请号: | 201580032000.2 | 申请日: | 2015-06-24 |
公开(公告)号: | CN106661726A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | C·舒瓦茨;E·巴克霍尔兹;C·莫玛 | 申请(专利权)人: | 百多力股份公司 |
主分类号: | C23C16/02 | 分类号: | C23C16/02;C23C16/32;C23C16/458;C23C16/50;C23C16/517;H01J37/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于基体(50)尤其是内置假体的等离子体处理的方法,尤其借助PECVD工艺,具有以下步骤‑将所述基体(50)插入真空室(10)中;‑通过待涂覆的所述基体(50)表面(52)的等离子体处理执行清洁步骤;‑可选地在等离子体(20)中执行待涂覆的基体(50)表面(52)的处理步骤,其中,来自等离子体的离子被注入靠近该表面的基体(50)区域中。另外,本发明涉及用于执行所述方法的装置和内置假体且尤其是通过施用所述方法而制作的支架。 | ||
搜索关键词: | 基体 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种用于基体(50)尤其是内置假体的等离子体处理的方法,尤其借助PECVD工艺,具有以下步骤:‑将基体(50)插入真空室(10)中;‑通过待涂覆的所述基体(50)表面(52)的等离子体处理来执行清洁步骤;‑其中,该基体(50)在该清洁步骤中靠近第一电极(30)且与第二电极(40)间隔地安置,以及其中,该基体(50)至少在该清洁步骤中相对于所述第一电极(30)被电绝缘。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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