[发明专利]测量方法、电极、再生方法、等离子体蚀刻装置和显示方法有效

专利信息
申请号: 201580032059.1 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN106663625B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 铃木崇之 申请(专利权)人: A·SAT株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H05H1/46
代理公司: 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 代理人: 李伟波;李永虎
地址: 日本东京都中*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供了一种可以高精度地测量等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法以及具有高精度气体导入孔的电极。本发明的等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法,用于测量沿厚度方向贯穿等离子体蚀刻装置用电极中的基材而设置的气体导入孔,包括:使光从基材的一面侧朝向气体导入孔进行照射;获得通过气体导入孔而透过基材的另一面侧的光的二维图像;以及基于二维图像,测量气体导入孔的直径、内壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一个。
搜索关键词: 等离子体 蚀刻 装置 用电 设置 气体 导入 测量方法 电极 再生 方法 状态 分布图 及其 显示
【主权项】:
1.一种等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法,所述气体导入孔设置成沿厚度方向贯穿所述等离子体蚀刻装置用电极中的基材,其特征在于,所述方法包括:使光从所述基材的一面侧朝向所述气体导入孔进行照射;获得不透过所述基材但通过所述气体导入孔而透过所述基材的另一面侧的所述光的二维图像;以及基于所述二维图像,测量所述气体导入孔的直径、内壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一个。
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