[发明专利]旋转批量外延系统

摘要

本发明实施方式涉及用于在外延薄膜形成期间批量处理的方法与装置。在一个实施例中，处理腔室包括腔室盖件与基板支撑件。腔室盖件包括中心设置的气体入口与第一气体偏转器，第一气体偏转器与腔室盖件耦接并经调适而将第一工艺气体侧向导向横跨多个基板的表面。该盖件也包括一或多个气体出口及多个灯，气体出口自中心设置的气体入口径向向外设置，多个灯设置于中心设置的气体入口与一或多个气体出口之间。基板支撑件是可旋转的且包括气体通道与第二气体偏转器，气体通道于基板支撑件中形成以用于将第二工艺气体引至处理腔室的内部容积，第二气体偏转器经调适而将第二工艺气体侧向地导向横跨多个基板的表面。

主权项

一种处理腔室，所述处理腔室包括：腔室盖件，所述腔室盖件具有：中心设置的气体入口，所述中心设置的气体入口经调适而将第一工艺气体引至所述处理腔室的内部容积；一或多个气体出口，所述一或多个气体出口自所述中心设置的气体入口径向向外设置；和第一气体偏转器，所述第一气体偏转器经定位而将所述第一工艺气体侧向地导向横跨多个基板的表面；多个灯，所述多个灯设置于所述腔室盖件内，多个灯定位于所述中心设置的气体入口与所述一或多个气体出口之间；和可旋转的基板支撑件，所述可旋转的基板支撑件设置于所述处理腔室内，所述可旋转的基板支撑件经调适以支撑所述可旋转的基板支撑件上的所述多个基板，所述可旋转的基板支撑件包含：气体通道，所述气体通道形成于所述可旋转的基板支撑件中，以用于将第二工艺气体引至所述处理腔室的所述内部容积；以及第二气体偏转器，所述第二气体偏转器经定位而将所述第二工艺气体侧向地导向横跨所述多个基板的所述表面。