[发明专利]具有动态VIO移位保护的双比较器电路有效
申请号: | 201580037454.9 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN106663989B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 吕迪格·库恩;约翰内斯·格贝尔;伯恩哈德·鲁克;阿西夫·加尧姆 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H02K5/22 | 分类号: | H02K5/22 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在描述的实例中,双比较器电路(100)包含:提供第一决定输出(112)的主比较器(110),所述主比较器(110)包含主MOS差分对(111);以及提供第二决定输出的辅助比较器(120),所述辅助比较器(120)包含辅助MOS差分对(121)。所述辅助比较器接收差分输入电压(Vin),且产生耦合至所述主比较器的启用输入的控制信号。当|Vin|<预定电压电平时实施第一操作模式OM,其中所述控制信号启动所述主比较器。当|Vin|≥PVL时实施第二OM,其中通过开关(116)防止所述主差分对产生暂态输入失调电压VIO偏移。逻辑电路(150)具有接收所述第一决定输出及所述第二决定输出的逻辑输入(151、152),以及在所述第一OM中时使用所述第一决定输出而在所述第二OM中时使用所述第二决定输出提供所述双比较器电路的决定结果的逻辑输出(154)。 | ||
搜索关键词: | 具有 动态 vio 移位 保护 比较 电路 | ||
【主权项】:
1.一种双比较器电路,其包括:第一比较器,其包含主金属氧化物半导体差分对以及在启用时提供第一决定输出的启用输入及主输出;第二比较器,其包含辅助金属氧化物半导体差分对,其中所述第二比较器经配置以接收差分输入电压且在控制输出处产生第二决定输出以及在耦合至所述第一比较器的所述启用输入的辅助输出处产生控制信号;其中所述双比较器电路经配置以在所述差分输入电压的量值小于预定电压电平时提供第一操作模式,其中所述控制信号启动所述第一比较器且所述主金属氧化物半导体差分对接收所述差分输入电压,且在所述差分输入电压的所述量值大于或等于所述预定电压电平时实施第二操作模式,其中至少一个开关防止所述主金属氧化物半导体差分对产生暂态输入失调电压VIO偏移;以及逻辑电路,其具有接收所述第一决定输出及所述第二决定输出的逻辑输入,以及在所述第一操作模式中时从所述第一决定输出而在所述第二操作模式中时从所述第二决定输出提供所述双比较器电路的决定结果的逻辑输出。
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