[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201580038502.6 | 申请日： | 2015-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106715751B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 藤长徹志;井堀敦仁;松本昌弘;谷典明;岩井治宪 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 余文娟 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 基板处理装置(10)具备：等离子生成部，其在配置基板(1)的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部(20)，其隔着冷却空间(55)与基板相对，并具有向冷却空间供给工艺气体的供给口(26)；工艺气体供给部(30)，其向冷却部(20)供给工艺气体；以及连通部(56)，其连通冷却空间(55)和等离子生成空间，用于将被供给到冷却空间的工艺气体供给到等离子生成空间。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，具备：等离子生成部，其在配置基板的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部，其隔着冷却空间与所述基板相对，并具有向所述冷却空间供给所述工艺气体的供给口；工艺气体供给部，其向所述冷却部供给所述工艺气体；以及连通部，其连通所述冷却空间和所述等离子生成空间，用于将被供给到所述冷却空间的所述工艺气体供给到所述等离子生成空间，只从所述冷却部向所述等离子生成空间供给所述工艺气体。
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