[发明专利]静电保护器件和静电保护电路有效
| 申请号： | 201580038759.1 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106663657B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 森日出树 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L29/786;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 姚鹏;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 静电保护器件包括绝缘体和半导体层。所述半导体层包括器件形成区和器件分离区。所述器件形成区包括依次布置的初级第一导电型杂质扩散层、本体区、次级第一导电型杂质扩散层和第二导电型区域。所述第二导电型区域包括与所述本体区电分离的第二导电杂质扩散层。所述器件分离区包括围绕所述器件形成区的器件分离层。此外，栅极电极被设置在所述半导体层中的所述本体区上，所述栅极电极与所述本体区之间插入有绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 器件 电路 | ||
【主权项】：
一种静电保护器件，其包括：绝缘体；半导体层，所述半导体层形成在所述绝缘体上且包括器件形成区和器件分离区，所述器件形成区具有依次布置的初级第一导电型杂质扩散层、本体区、次级第一导电型杂质扩散层和第二导电型区域，所述第二导电型区域包括与所述本体区电分离的第二导电型杂质扩散层，所述器件分离区包括围绕所述器件形成区的器件分离层；和栅极电极，所述栅极电极被设置在所述本体区上，所述栅极电极与所述本体区之间插入有绝缘膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580038759.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
