[发明专利]谐振器以及谐振装置有效
| 申请号： | 201580041358.1 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106664075B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 中村大佐;中谷宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/24 | 分类号： | H03H9/24;B06B1/06;H01L41/09 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制由振动部的不必要振动引起的保持体的振动，并且能够实现小型化的谐振器以及谐振装置。上述谐振器具备：振动部，其具有半导体层、形成在半导体层上的第一压电膜、以及形成于第一压电膜的上部的第一上部电极；保持体，其将振动部保持为能够振动；连结部，其连结振动部和保持体；以及振动抑制部，其具有形成在保持体上的第二压电膜和形成于第二压电膜的上部的第二上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器 以及 谐振 装置 | ||
【主权项】：
1.一种谐振器，具备：振动部，其具有半导体层、形成在所述半导体层上的第一压电膜、形成于所述第一压电膜的上部的第一上部电极；保持体，其将所述振动部保持为能够振动；连结部，其连结所述振动部和所述保持体；以及振动抑制部，其具有形成在所述保持体上的第二压电膜和形成于所述第二压电膜的上部的一部分的第二上部电极，所述半导体层、所述保持体以及所述连结部是包括硅的简并半导体。
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