[发明专利]具有自对准背侧特征的半导体器件有效
| 申请号： | 201580041881.4 | 申请日： | 2015-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106663684B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | S·A·法内利 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 袁逸<国际申请>=PCT/US2015/ |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了涉及绝缘体上半导体工艺上的自对准特征的各种方法和器件。一种示例性方法包括在绝缘体上半导体晶片上形成栅极。该绝缘体上半导体晶片包括器件区、埋藏绝缘体和基板。该示例性方法进一步包括使用该栅极作为掩模向该绝缘体上半导体晶片应用处理。该处理在该埋藏绝缘体中创建了经处理的绝缘体区。该示例性方法还包括移除基板的至少一部分。该示例性方法还包括，在移除基板的该部分之后，从该埋藏绝缘体选择性地移除经处理的绝缘体区以形成剩余的绝缘体区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 特征 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于提供半导体器件的方法，包括：/n在绝缘体上半导体晶片上形成栅极，其中所述绝缘体上半导体晶片包括器件区、埋藏绝缘体和基板；/n使用所述栅极作为掩模向所述绝缘体上半导体晶片应用处理，其中所述处理在所述埋藏绝缘体中创建经处理的绝缘体区；/n移除所述基板的至少一部分；以及/n在移除所述基板的该部分之后，从所述埋藏绝缘体选择性地移除所述经处理的绝缘体区以形成与所述栅极对准的剩余的绝缘体区并且暴露所述器件区的有源层的背侧。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
