[发明专利]用于具有经级联RESURF植入部及双缓冲器的LDMOS装置的方法及设备有效
| 申请号： | 201580042187.4 | 申请日： | 2015-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN106663699B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡军 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述实例中，一种LDMOS装置(1200)包含：至少一个漂移区域(1222)，其安置于半导体衬底(1210)的一部分中；至少一个隔离结构(1252)，其位于所述半导体衬底(1210)的表面处；D阱区域，其邻近所述至少一个漂移区域(1222)的一部分而定位，且所述漂移区域(1222)与所述D阱区域的相交点形成第一导电性类型与第二导电性类型之间的结(1226)；栅极结构(1282)，其安置于所述半导体衬底(1210)上方；源极触点区域(S)，其安置于所述D阱区域的表面上；漏极触点区域(D)，其邻近所述隔离结构(1252)而安置；及双缓冲器区域，其包含：第一隐埋式层(1228)，其位于所述D阱区域及所述漂移区域(1222)下面且被掺杂成所述第二导电性类型；及第二高电压深扩散层(1218)，其位于所述第一隐埋式层(1228)下面且被掺杂成所述第一导电性类型。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 级联 resurf 植入 缓冲器 ldmos 装置 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种LDMOS装置，其包括：至少一个漂移区域，其安置于半导体衬底的一部分中且被掺杂成第一导电性类型；至少一个隔离结构，其位于所述半导体衬底的表面处且定位于所述至少一个漂移区域的一部分内；D阱区域，其位于所述半导体衬底的另一部分中，被掺杂成第二导电性类型且邻近所述至少一个漂移区域的一部分而定位，且所述漂移区域与所述D阱区域的相交点形成所述第一导电性类型与所述第二导电性类型之间的结；栅极结构，其安置于所述半导体衬底的表面上且上覆于沟道区域及所述隔离结构的一部分上，所述栅极结构包含位于所述沟道区域上方的栅极电介质层及上覆于所述栅极电介质上的栅极导体材料；源极触点区域，其安置于所述D阱区域的表面上且邻近所述沟道区域的一侧，所述源极触点区域被掺杂成所述第一导电性类型；漏极触点区域，其安置于所述漂移区域的表面上的浅扩散阱中并邻近所述隔离结构且通过所述隔离结构与所述沟道区域间隔开，所述漏极触点及所述浅扩散阱被掺杂成所述第一导电性类型；及双缓冲器区域，其包含：第一隐埋式层，其位于所述D阱区域及所述漂移区域下面且被掺杂成所述第二导电性类型；及第二高电压深扩散层，其位于所述第一隐埋式层下面且被掺杂成所述第一导电性类型。
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