[发明专利]用于可编程集成电路的具有低阈值电压P沟道晶体管的互连电路有效
| 申请号： | 201580043156.0 | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106664091B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | P·简恩;M·J·哈特 | 申请（专利权）人： | 赛灵思公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K19/173;H03K19/177 |
| 代理公司： | 北京市君合律师事务所 11517 | 代理人： | 顾云峰;吴龙瑛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于可编程集成电路(IC)(100)的示例性互连电路(200)包括被耦接以从可编程IC中的节点(204)接收的输入端子(218‑1)，被耦接以向所述可编程IC中的另一节点(208)发送的输出端子(220)，被耦接以从所述可编程IC的存储单元(212)接收的第一和第二控制端子(222‑1,222‑2)，以及互补金属氧化物半导体(CMOS)传输门(202‑1)，其被耦接在输入端子和输出端子之间并且被耦接到第一和第二控制端子。CMOS传输门包括配置有用于制造可编程IC的CMOS工艺的低阈值电压的P沟道晶体管(Q2)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 可编程 集成电路 具有 阈值 电压 沟道 晶体管 互连 电路 | ||
【主权项】：
一种用于可编程集成电路(IC)的互连电路，包括：输入端子，其被耦接以从所述可编程IC中的节点接收；输出端子，其被耦接以向所述可编程IC中的另一个节点发送；第一和第二控制端子，其被耦接以从所述可编程IC的存储单元接收；以及互补金属氧化物半导体(CMOS)传输门，其被耦接在所述输入端子和所述输出端子之间并被耦接到所述第一和第二控制端子，所述CMOS传输门包括P沟道晶体管，所述P沟道晶体管配置有用于制造所述可编程IC的CMOS工艺的低阈值电压。
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