[发明专利]具有改进的非钳位感应开关抗扰性的晶体管结构

摘要

一种具有改进的非钳位感应开关抗扰性的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管结构。该LDMOS包括第一导电类型的衬底和相邻的外延层。栅极结构在外延层之上。两者都为第二导电类型的漏区和源区位于外延层内。沟道形成于源区和漏区之间并且布置在栅极结构下方。第一导电类型的体结构至少部分地形成于栅极结构下方并且在源区下方横向延伸，其中外延层的掺杂少于体结构。导电沟槽状馈通元件穿过外延层并接触衬底和源区。LDMOS包括形成于源区下方、且横向靠近并接触所述体结构和所述沟槽状馈通元件的第一导电类型的槽区。

主权项

1.一种半导体晶体管结构，包括：/n具有第一导电类型的衬底；/n与所述衬底相邻的外延层，所述外延层具有所述第一导电类型；/n位于所述外延层之上的栅极结构，/n在所述外延层内的具有第二导电类型的漏区；/n在所述外延层内的具有所述第二导电类型的源区；/n在所述外延层内的具有所述第一导电类型的体结构，所述体结构至少部分地形成于所述栅极结构下方并在所述源区下方横向延伸，其中所述外延层的掺杂少于所述体结构；/n导电沟槽状馈通元件，穿过所述外延层并接触所述第一导电类型衬底，并且穿过并接触所述第二导电类型源区；/n具有所述第一导电类型的第一槽区，形成于所述源区下方且横向靠近并接触所述体结构，其中所述第一槽区与所述沟槽状馈通元件接触；和/n至少部分地形成于所述第一槽区下方的第二槽区，其中所述第二槽区的掺杂少于所述第一槽区，其中所述第二槽区从所述第一槽区延伸到所述衬底并与所述衬底接触。/n