[发明专利]气相生长装置及气相生长方法在审

专利信息
申请号: 201580045081.X 申请日: 2015-11-04
公开(公告)号: CN106796869A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 高桥英志;佐藤裕辅 申请(专利权)人: 纽富来科技股份有限公司
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;C23C16/34;C23C16/52
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 徐冰冰,刘杰
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式的气相生长装置具备n个反应室,n为2以上的整数;主气体供给路,向n个反应室供给工艺气体;主质量流量控制器,设置于主气体供给路,控制工艺气体的流量;分支部,将主气体供给路分支;n条副气体供给路,在分支部分支,向n个反应室供给被分流的工艺气体;n个第一截止阀,设置在n条副气体供给路的分支部与n个反应室之间,以至分支部的距离比至反应室的距离短的方式配置,能够截断工艺气体的流动;以及n个副质量流量控制器,设置在n条副气体供给路的n个第一截止阀与n个反应室之间,控制流经n条副气体供给路的工艺气体的流量。
搜索关键词: 相生 装置 方法
【主权项】:
一种气相生长装置,其特征在于,具备:n个反应室,n为2以上的整数;主气体供给路,向所述n个反应室供给工艺气体;主质量流量控制器,设置于所述主气体供给路,控制流经所述主气体供给路的所述工艺气体的流量;分支部,将所述主气体供给路分支;n条副气体供给路,在所述分支部从所述主气体供给路分支,向所述n个反应室供给被分流的所述工艺气体;n个第一截止阀,设置在所述n条副气体供给路的所述分支部与所述n个反应室之间,以至所述分支部的距离比至所述反应室的距离短的方式配置,能够截断所述工艺气体的流动;以及n个副质量流量控制器,设置在所述n条副气体供给路的所述n个第一截止阀与所述n个反应室之间,控制流经所述n条副气体供给路的所述工艺气体的流量。
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