[发明专利]气相生长装置及气相生长方法在审
申请号: | 201580045081.X | 申请日: | 2015-11-04 |
公开(公告)号: | CN106796869A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 高桥英志;佐藤裕辅 | 申请(专利权)人: | 纽富来科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/34;C23C16/52 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 徐冰冰,刘杰 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式的气相生长装置具备n个反应室,n为2以上的整数;主气体供给路,向n个反应室供给工艺气体;主质量流量控制器,设置于主气体供给路,控制工艺气体的流量;分支部,将主气体供给路分支;n条副气体供给路,在分支部分支,向n个反应室供给被分流的工艺气体;n个第一截止阀,设置在n条副气体供给路的分支部与n个反应室之间,以至分支部的距离比至反应室的距离短的方式配置,能够截断工艺气体的流动;以及n个副质量流量控制器,设置在n条副气体供给路的n个第一截止阀与n个反应室之间,控制流经n条副气体供给路的工艺气体的流量。 | ||
搜索关键词: | 相生 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种气相生长装置,其特征在于,具备:n个反应室,n为2以上的整数;主气体供给路,向所述n个反应室供给工艺气体;主质量流量控制器,设置于所述主气体供给路,控制流经所述主气体供给路的所述工艺气体的流量;分支部,将所述主气体供给路分支;n条副气体供给路,在所述分支部从所述主气体供给路分支,向所述n个反应室供给被分流的所述工艺气体;n个第一截止阀,设置在所述n条副气体供给路的所述分支部与所述n个反应室之间,以至所述分支部的距离比至所述反应室的距离短的方式配置,能够截断所述工艺气体的流动;以及n个副质量流量控制器,设置在所述n条副气体供给路的所述n个第一截止阀与所述n个反应室之间,控制流经所述n条副气体供给路的所述工艺气体的流量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造