[发明专利]用于包括唯一标识符的封装体的正面封装级别序列化有效
申请号: | 201580045860.X | 申请日: | 2015-08-26 |
公开(公告)号: | CN106796892B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | C.毕晓普;S.A.丹尼尔;C.M.斯坎伦 | 申请(专利权)人: | 德卡技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/538 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种制造半导体器件的方法,该方法可包括提供多个半导体裸芯,其中每个半导体裸芯包括有源表面和与所述有源表面相对的背面。该方法可包括形成在所述晶片中的多个半导体裸芯中的每个的有源表面上方延伸的堆积互连结构,以及形成作为堆积互连结构中的层的一部分的用于多个半导体裸芯中的每个的唯一识别标记,同时形成所述堆积互连结构的层。堆积互连结构的层可包括用于多个半导体裸芯中的每个的唯一识别标记和用于半导体器件的功能性二者。每个唯一识别标记可传达其相应的半导体裸芯的唯一标识。该方法还可包括将多个半导体裸芯单片化成多个半导体器件。 | ||
搜索关键词: | 用于 包括 唯一 标识符 封装 正面 级别 序列 | ||
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,包括:提供多个半导体裸芯,其中每个半导体裸芯包括有源表面和与所述有源表面相对的背面;形成在所述晶片中的所述多个半导体裸芯中的每个的所述有源表面上方延伸的堆积互连结构;形成用于所述多个半导体裸芯中的每个的唯一识别标记作为所述堆积互连结构中的层的一部分,同时形成所述堆积互连结构的所述层,其中所述堆积互连结构的所述层包括用于所述多个半导体裸芯中的每个的所述唯一识别标记和用于所述半导体器件的功能性二者,其中每个唯一识别标记传达其相应的半导体裸芯的唯一标识;以及将所述多个半导体裸芯单片化成多个半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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