[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201580046019.2 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN106796896B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 宫胁正太郎;平野尚彦;浅井昭喜;浅井康富 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 多个电极焊盘包括在半导体元件(10)的一面(11)中位于角部(13)侧的第1焊盘(21)、和比第1焊盘(21)距角部(13)更远的位置的第2焊盘(22)。连接于第1焊盘(21)的第1线材(51)的杨氏模量小于连接于第2焊盘(22)的第2线材(52)的杨氏模量。由第1线材(51)和第1焊盘(21)形成的金属间化合物层(71)的厚度(d1)比由第2线材(52)和第2焊盘(22)形成的金属间化合物层(72)的厚度(d2)厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体元件(10)，呈一面(11)和另一面(12)处于表面背面的板面关系的矩形板状；多个电极焊盘，设在上述半导体元件的一面，由相同的金属构成；以及连接部件(40)，设在上述半导体元件的外侧；上述多个电极焊盘分别经由由金属构成的键合线而与上述连接部件连接；在上述多个电极焊盘的各自中，在该电极焊盘与上述键合线之间，形成有由包含该电极焊盘的金属和上述键合线的金属这两者的金属间化合物构成的金属间化合物层；上述多个电极焊盘包括第1焊盘(21)和第2焊盘(22)，在上述半导体元件的一面，上述第1焊盘(21)位于角部(13)侧，上述第2焊盘(22)位于比上述第1焊盘更远离上述角部的位置；上述键合线中的连接于上述第1焊盘的第1线材(51)的杨氏模量小于上述键合线中的连接于上述第2焊盘的第2线材(52)的杨氏模量；由上述第1线材和上述第1焊盘形成的上述金属间化合物层(71)的厚度(d1)比由上述第2线材和上述第2焊盘形成的上述金属间化合物层(72)的厚度(d2)厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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