[发明专利]碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法

摘要

一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。

主权项

1.一种用于制造碳化硅单晶衬底的方法，包括：/n制备碳化硅单晶衬底，所述碳化硅单晶衬底具有第一主表面、与所述第一主表面相反的第二主表面、以及连接所述第一主表面和所述第二主表面的圆周边缘部，当沿着垂直于所述第一主表面的方向观察时，所述圆周边缘部具有直线形的定向平面部、具有第一半径的第一圆弧部、以及在所述定向平面部和所述第一圆弧部之间的接触点；以及/n在旋转所述碳化硅单晶衬底的同时研磨所述第一圆弧部、所述接触点和所述定向平面部，通过研磨所述第一圆弧部、所述接触点和所述定向平面部来形成第二圆弧部，所述第二圆弧部连接所述定向平面部和所述第一圆弧部并具有小于所述第一半径的第二半径，/n其中，研磨所述第一圆弧部、所述接触点和所述定向平面部包括：/n在用第一力将所述第一圆弧部按压在磨石上的同时，来研磨所述第一圆弧部，/n在用第二力将所述接触点按压在所述磨石上的同时，来研磨所述接触点，以及/n在用第三力将所述定向平面部按压在所述磨石上的同时，来研磨所述定向平面部，/n所述第二力大于所述第一力，并且所述第三力大于所述第二力。/n