[发明专利]在微电子中用于铜沉积的流平剂

摘要

在微电子中用于电解镀敷的组合物，其含有流平剂，该流平剂包含脂族二(叔胺)与烷化剂的反应产物。使用该流平剂的电解镀敷方法，制造该流平剂的方法，和该流平剂化合物。

主权项

在填充硅通孔或半导体集成电路器件的亚微米特征中有用的水性电解组合物，该组合物包含：酸；铜离子；和包含脂族二(叔胺)与对应于下式的烷化剂的反应产物的流平剂：其中：G选自单一共价键，‑O‑，O‑((A)r‑O)s‑和‑((A)r‑O)s‑A的结构为：p和r各自独立地为1和6之间的整数，包括端值，s是1和10之间的整数，包括端值，q是0和6之间的整数，包括端值；R1，R2，R3，R4，R5，R6和R34各自独立地选自氢和含1至4个碳原子的取代或未取代的脂族烃基；R33是具有1至4个碳原子的取代或未取代的脂族烃基，Y是选自由氯离子，溴离子，碘离子，甲苯磺酰基，三氟甲磺酸根，磺酸根，甲磺酸根，甲硫酸根，氟代磺酸根，甲基甲苯磺酸根和对溴苯磺酸根组成的组中的离去基团，Z选自R30和独立地选自与Y相同的组中的离去基团，和R30选自脂族烃基，羟基，烷氧基，氰基，羧基，烷氧羰基和酰氨基，和当‑G‑不是单一共价键时，q为至少1。