[发明专利]电压电平移位自时控写入协助有效
| 申请号： | 201580049972.2 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106716535B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 戴维·保罗·霍夫;埃米·库尔卡尼;杰森·菲利浦·马尔兹洛夫;史蒂芬·艾德华·李莱斯 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C7/10;G11C7/12;G11C11/419;H03K3/356 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于产生电压电平移位自时控写入协助的系统及方法，其包含在第一电压域中具有自时控真实与互补数据输入信号的电路。第一及第二全电压电平移位器经配置以基于所述第一电压域中的所述自时控真实与互补数据输入信号而在第二电压域中产生电压电平移位自时控中间真实与互补信号。包含第一及第二互补金属氧化物半导体CMOS电路的三态逻辑经配置以基于所述电压电平移位自时控中间真实与互补信号而产生用于为所述第二电压域中的存储器阵列提供写入协助的电压电平移位自时控三态真实与互补输出信号。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 电平 移位 写入 协助 | ||
【主权项】：
1.一种设备，其包括：第一及第二全电压电平移位器，其经配置以分别接收第一电压域中的自时控真实与互补数据输入信号，并基于所述第一电压域中的所述自时控真实与互补数据输入信号而产生第二电压域中的相应电压电平移位自时控中间真实与互补信号；第一及第二互补金属氧化物半导体CMOS电路，其经配置以基于所述电压电平移位自时控中间真实与互补信号而产生所述第二电压域中的电压电平移位自时控三态化真实与互补输出信号；以及所述第二电压域中的箝位电路，其包括：第一或非门，其以所述电压电平移位自时控中间真实信号及箝位信号作为输入，其中所述第一或非门的输出耦合到所述第二CMOS电路的第二n沟道MOS NMOS装置的栅极，且所述第一或非门的所述输出的反向耦合到所述第一CMOS电路的第一p沟道MOS PMOS装置的栅极；以及第二或非门，其以所述电压电平移位自时控中间互补信号及所述箝位信号作为输入，其中所述第二或非门的输出耦合到所述第一CMOS电路的第一n沟道MOS NMOS装置的栅极，且所述第二或非门的所述输出的反向耦合到所述第二CMOS电路的第二p沟道MOS PMOS装置的栅极，其中所述箝位电路经配置以在所述箝位信号为高时使所述电压电平移位自时控三态化真实与互补输出信号浮动。
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