[发明专利]铜膜形成用组合物和使用其的铜膜的制造方法有效
申请号: | 201580053151.6 | 申请日: | 2015-09-14 |
公开(公告)号: | CN107075681B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 阿部徹司;斋藤和也;降幡泰久 | 申请(专利权)人: | 株式会社ADEKA |
主分类号: | C23C18/08 | 分类号: | C23C18/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
提供:涂布于基体上、以低于160℃进行加热从而可以得到具有充分导电性的铜膜的、不含微粒等固相的溶液状的铜膜形成用组合物。为一种铜膜形成用组合物,其含有:甲酸铜或其水合物0.1~3.0摩尔/kg;选自由下述通式(1)所示的化合物和下述通式(1’)所示的化合物组成的组中的至少1种化合物;和,下述通式(2)所示的哌啶化合物。 |
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搜索关键词: | 形成 组合 使用 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种铜膜形成用组合物,其含有:甲酸铜或其水合物0.1~3.0摩尔/kg;选自由下述通式(1)所示的化合物和下述通式(1’)所示的化合物组成的组中的至少1种化合物;和,下述通式(2)所示的哌啶化合物,将所述甲酸铜或其水合物的含量设为1摩尔/kg时,以0.001~6.0摩尔/kg的范围含有选自由下述通式(1)所示的化合物和下述通式(1’)所示的化合物组成的组中的至少1种化合物,以0.1~6.0摩尔/kg的范围含有所述哌啶化合物,
所述通式(1)中,R1和R2分别独立地表示氢原子、甲基或乙基,
所述通式(1’)中,R3表示甲基或乙基,m表示0或1,
所述通式(2)中,X表示氨基或羟基。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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