[发明专利]反熔丝存储器及半导体存储装置

摘要

本发明提供一种反熔丝存储器及半导体存储装置，其中，反熔丝存储器(2b)中未使用如现有技术的控制电路，而设置有半导体接合结构的整流元件(3)，通过存储器栅极(G)和字线(WL1)的电压值，使从存储器栅极(G)向字线(WL1)施加电压成为反向偏置电压，通过该整流元件(3)能够阻断从存储器栅极(G)向字线(WL1)的电压施加，因此，不需要如现有技术的用来选择性地向存储器电容施加电压的开关晶体管，或用来使开关晶体管进行导通截止动作的开关控制电路，相应地能够实现小型化。

主权项

一种反熔丝存储器，其特征在于，包括：存储器电容，其中，通过存储器栅绝缘膜设置有存储器栅极，在形成于阱上的一个扩散区域连接有位线；整流元件，设置在所述存储器栅极和字线之间，从所述字线向所述存储器栅极施加电压，另一方面，通过向所述存储器栅极和所述字线施加的电压值，阻断从所述存储器栅极向所述字线的电压施加。