[发明专利]基于溶液生长法的SiC单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚在审
| 申请号： | 201580056446.9 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107075725A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 龟井一人;岸田豊;楠一彦;大黑宽典;土井雅喜 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种易于搅拌和加热Si‐C溶液的SiC单晶的制造装置。该SiC单晶的制造装置具备能够容纳Si－C溶液(7)的坩埚(5)、晶种轴(6)、以及感应加热装置(3)。坩埚(5)能够容纳Si－C溶液(7)。坩埚(5)包括筒部(51)和底部(52)。筒部(51)具有外周面(51A)和内周面(51B)。底部(52)配置于筒部(51)的下端。底部(52)形成坩埚(5)的内底面(52B)。能够在晶种轴(6)的下端安装晶种(8)。感应加热装置(3)配置于坩埚(5)的筒部(51)的周围。感应加热装置(3)用于加热坩埚(5)和Si－C溶液(7)。外周面(51A)具有与筒部(51)的周向交叉地延伸的槽(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 溶液 生长 sic 制造 装置 应用于 坩埚 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶的制造装置，其用于基于溶液生长法来制造SiC单晶，其中，该制造装置具备：坩埚，其能够容纳Si－C溶液，包括具有第1外周面和内周面的筒部以及配置于所述筒部的下端且形成内底面的底部；晶种轴，能够在该晶种轴的下端安装晶种；以及感应加热装置，其配置于所述坩埚的所述筒部的周围，用于对所述坩埚和所述Si－C溶液进行加热，所述第1外周面具有与所述筒部的周向交叉地延伸的第1槽。
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