[发明专利]非易失性存储装置有效
| 申请号： | 201580057404.7 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107077890B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 森阳太郎;北川真 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的非易失性存储装置包括：多条位线；多条字线；存储单元阵列，其具有多个存储单元，各个所述存储单元包括非易失性存储元件，并且多个所述存储单元分别被布置在所述多条位线与所述多条字线的多个交叉部处；基准电压生成电路，其生成读出基准电压，所述读出基准电压充当用于判别存储于所述存储单元上的数据值的基准；读出电路，其在电流限制型预定读出用电流被施加至所述位线的状态下检测来自所述存储单元的读出电压的相对于所述读出基准电压的值，由此读取存储于所述存储单元上的所述数据值；以及地址补偿电路，其根据所述多个存储单元之中的将要在所述读出电路中被读取的所述存储单元的安置位置来改变所述读出基准电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置，其包括：多条位线；多条字线；存储单元阵列，所述存储单元阵列具有多个存储单元，各所述存储单元包括非易失性存储元件，并且所述多个存储单元中的各者被布置在所述多条位线与所述多条字线的多个交叉部中的各交叉部处；基准电压生成电路，所述基准电压生成电路生成读出基准电压，所述读出基准电压充当用于判别存储于所述存储单元上的数据值的基准；读出电路，所述读出电路在电流限制型预定读出用电流被施加至所述位线的状态下检测来自所述存储单元的读出电压的相对于所述读出基准电压的值，由此读取存储于所述存储单元上的所述数据值；以及地址补偿电路，所述地址补偿电路根据所述多个存储单元之中的将要在所述读出电路中被读取的所述存储单元的安置位置来改变所述读出基准电压。
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