[发明专利]高密度扇出封装结构有效
| 申请号： | 201580058661.2 | 申请日： | 2015-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107078119B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | D·W·金;H·B·蔚;J·S·李;S·顾 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳;袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高密度扇出封装结构可包括触点层。该触点层包括具有面向有源管芯的第一表面和面向重分布层的第二表面的导电互连层。该高密度扇出封装结构具有在该导电互连层的第一表面上的阻挡层。该高密度扇出封装结构还可包括具有导电路由层的重分布层。该导电路由层可被配置成将第一导电互连耦合至该导电互连层。该高密度扇出封装结构可进一步包括第一通孔，其耦合至该阻挡内衬并且被配置成与至该有源管芯的第二导电互连相耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种高密度扇出封装结构，包括：触点层，其包括具有面向有源管芯的第一表面和面向重分布层的第二表面的导电互连层；在所述导电互连层的所述第一表面上的阻挡内衬；重分布层，其包括配置成将第一导电互连耦合至所述导电互连层的多个导电路由层；以及第一通孔，其耦合至所述阻挡内衬并且被配置成与至所述有源管芯的第二导电互连相耦合。
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