[发明专利]单位移位寄存器电路、移位寄存器电路、单位移位寄存器电路的控制方法及显示装置有效
| 申请号： | 201580058776.1 | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107112051B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 山本薰;小川康行 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G11C19/00 | 分类号： | G11C19/00;G09G3/20;G09G3/36;G11C19/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 正方向的移位动作中，在对晶体管(T1)的第1栅极端子充电时，向晶体管(T2)的第2栅极端子输入电压比第1输入信号(S)的电压高的第2输入信号(VS)，在使晶体管(T1)的第1栅极端子放电时，向晶体管(T3)的第3栅极端子输入电压比第3输入信号(R)的电压高的第4输入信号(VR)，反方向的移位动作中，在对晶体管(T1)的第1栅极端子充电时，向晶体管(T3)的第3栅极端子输入电压比第3输入信号(R)的电压高的第4输入信号(VR)，在使晶体管(T1)的第1栅极端子放电时，向晶体管(T2)的第2栅极端子输入电压比第1输入信号(S)的电压高的第2输入信号(VS)。 | ||
| 搜索关键词： | 单位 移位寄存器 电路 控制 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种单位移位寄存器电路，是构成移位寄存器电路的各级的单位移位寄存器电路，其特征在于，包括：第1晶体管，该第1晶体管具有第1栅极端子、第1源极端子及第1漏极端子，向所述第1漏极端子输入规定的时钟信号，从所述第1源极端子输出输出信号；第2晶体管，该第2晶体管具有第2栅极端子、第2源极端子及第2漏极端子，作为所述第2源极端子与所述第1晶体管的所述第1栅极端子相连接的晶体管，向所述第2漏极端子输入第1输入信号，向所述第2栅极端子输入第2输入信号；以及第3晶体管，该第3晶体管具有第3栅极端子、第3源极端子及第3漏极端子，作为所述第3源极端子与所述第1晶体管的所述第1栅极端子相连接的晶体管，向所述第3漏极端子输入第3输入信号，向所述第3栅极端子输入第4输入信号，正方向的移位动作中，在对所述第1晶体管的所述第1栅极端子进行充电时，向所述第2栅极端子输入电压变得比所述第1输入信号的电压高的所述第2输入信号，在使所述第1晶体管的所述第1栅极端子放电时，向所述第3栅极端子输入电压变得比所述第3输入信号的电压高的所述第4输入信号，反方向的移位动作中，在对所述第1晶体管的所述第1栅极端子进行充电时，向所述第3栅极端子输入电压变得比所述第3输入信号的电压高的所述第4输入信号，在使所述第1晶体管的所述第1栅极端子放电时，向所述第2栅极端子输入电压变得比所述第1输入信号的电压高的所述第2输入信号。
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