[发明专利]分析及利用景观有效
| 申请号： | 201580060081.7 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107078074B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | T·马西安诺;B·布尔戈尔茨;E·古列维奇;I·阿达姆;Z·林登费尔德;Z·赵;Y·弗莱;D·坎戴尔;N·卡梅尔;A·玛纳森;N·阿米尔;O·卡米斯开;T·耶其夫;O·萨哈兰;M·库柏;R·苏里马斯基;T·里维安特;N·夕拉;B·埃弗拉蒂;L·撒尔通;A·汉德曼;E·亚希渥;O·巴沙尔 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供导出计量度量对配方参数的部分连续相依性、分析所述导出的相依性、根据所述分析来确定计量配方，及根据所述确定的配方来进行计量测量的方法。所述相依性可以景观(例如敏感度景观)的形式来进行分析，其中以分析方式、以数字方式或以实验方式检测具有低敏感度的区域，及/或具有低或零不准确度的点或轮廓，且用于配置测量、硬件及目标的参数，以实现高测量准确度。工艺变化是就其对所述敏感度景观的效应进行分析，且这些效应用于进一步特性化所述工艺变化，以优化所述测量且使所述计量对于不准确度源更稳健，且相对于晶片上的不同目标及可用测量条件更灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 分析 利用 景观 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：通过模拟或以预备测量，导出至少一个计量度量对至少一个配方参数的至少部分连续相依性；分析所述导出的相依性；根据所述分析来确定计量配方；及根据所述确定的配方，进行至少一个计量测量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
