[发明专利]半导体器件

摘要

半导体器件包括触发器电路、控制线、第一P型晶体管、第一非易失性存储元件、第二P型晶体管和第一非易失性存储元件。触发器电路具有依次连接有第一反相器电路、包括第一节点第一连接线、第二反相器电路和包括第二节点的第二连接线的环形结构。第一P型晶体管和第一非易失性存储元件在第一节点与控制线之间串联地连接。第二P型晶体管和第一非易失性存储元件在第二节点与控制线之间串联地连接。非易失性存储元件是包括从靠近所述控制线的位置开始依次布置的钉扎层、隧道势垒层和自由层的磁隧道结元件。

主权项

一种半导体器件，其包括：触发器电路，其具有环形结构，在所述环形结构中依次连接有第一反相器电路、第一连接线、第二反相器电路和第二连接线，所述第一连接线包括第一节点，所述第二连接线包括第二节点；控制线；第一P型晶体管，其设置在所述第一节点与所述控制线之间；第一非易失性存储元件，其设置在所述第一节点与所述控制线之间，并与所述第一P型晶体管串联地连接；第二P型晶体管，其设置在所述第二节点与所述控制线之间；以及第二非易失性存储元件，其设置在所述第二节点与所述控制线之间，并与所述第二P型晶体管串联地连接，其中，所述第一非易失性存储元件是包括从靠近所述控制线的位置开始依次布置的第一钉扎层、第一隧道势垒层和第一自由层的第一磁隧道结元件，或者是包括从靠近所述控制线的位置开始依次布置的第一电极层、第一绝缘层和第一离子层的第一电阻变化元件，且所述第二非易失性存储元件是包括从靠近所述控制线的位置开始依次布置的第二钉扎层、第二隧道势垒层和第二自由层的第二磁隧道结元件，或者是包括从靠近所述控制线的位置开始依次布置的第二电极层、第二绝缘层和第二离子层的第二电阻变化元件。