[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201580061372.8 | 申请日： | 2015-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN107112360B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 斋藤顺;永冈达司;青井佐智子;渡边行彦;宫原真一朗;金村高司 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王兆阳;苏卉 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体基板，在表面形成有沟槽；栅极绝缘膜，覆盖所述沟槽的内表面；及栅极电极，配置在所述沟槽的内部，所述半导体基板具备：第一导电型的第一区域，与覆盖所述沟槽的两侧面的所述栅极绝缘膜相接；第二导电型的第二区域，形成在所述第一区域的下方，且与覆盖所述沟槽的两侧面的所述栅极绝缘膜相接；及第一导电型的第三区域，形成在所述第二区域的下方，且与覆盖所述沟槽的两侧面和底面的所述栅极绝缘膜相接，所述沟槽的底面以在短边方向上中心部比周缘部向上突出的方式形成，覆盖所述周缘部的所述栅极绝缘膜的厚度比覆盖所述中心部的所述栅极绝缘膜的厚度厚。
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