[发明专利]具有在相同金属层上的共享第一和第二全局读字线以及全局写字线的3端口位单元阵列有效
| 申请号： | 201580061935.3 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107004438B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | N·N·莫江德;S·S·宋;Z·王;P·刘;K·利姆;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/14 | 分类号： | G11C8/14;G11C11/419;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜;袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种装置包括位单元阵列(202、204、206、208)，该位单元阵列包括第一行位单元和第二行位单元。该装置还包括第一全局读字线(240)，该第一全局读字线(240)被配置成选择性地耦合到第一行位单元和第二行位单元。该装置进一步包括第二全局读字线(244)，该第二全局读字线(244)被配置成选择性地耦合到第一行位单元和第二行位单元。该装置还包括全局写字线(242)，该全局写字线(242)被配置成选择性地耦合到第一行位单元和第二行位单元。第一全局读字线、第二全局读字线、以及全局写字线位于共用金属层(M4)中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 相同 金属 共享 第一 第二 全局 读字线 以及 写字 端口 单元 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，包括：位单元阵列，所述位单元阵列包括第一行位单元和第二行位单元；第一全局读字线，所述第一全局读字线被配置成选择性地耦合到所述第一行位单元和所述第二行位单元；以及第二全局读字线，所述第二全局读字线被配置成选择性地耦合到所述第一行位单元和所述第二行位单元；其中，所述第一全局读字线和所述第二全局读字线位于共用金属层中，其中，所述存储装置进一步包括全局写字线，所述全局写字线被配置成选择性地耦合到所述第一行位单元和所述第二行位单元，其中，所述全局写字线位于所述共用金属层中。
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