[发明专利]外延晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201580063283.7 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107924819B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 针谷秀树 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/52;C30B25/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 陈丽丽 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种外延晶片的制造方法，其在插入于基座3的贯通孔H中的顶起销4的上面4b1相对于贯通孔H的上侧的开口H1a陷入或突出而具有阶差D的状态下，在载置在基座3上的基板W上使外延层气相外延。利用激光测定从顶起销4的上面4b1至贯通孔H的开口H1a为止的阶差D，并根据该所测定的阶差D而调节位于基座3的上下的加热器9在外延生长时的输出。由此，提供一种能够容易地调节外延生长时的热源的输出的外延晶片的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种外延晶片的制造方法，其在插入于基座的正反面具有开口的贯通孔中的顶起销的上面相对于正面侧的所述开口具有阶差的状态下，通过位于所述基座上下的热源加热而在载置在所述基座上的基板上使外延层生长，其特征在于，包括：调节步骤，其测定从所述状态下的所述开口至所述顶起销的上面为止的阶差，并根据所测定的所述阶差调节位于所述上下的热源的输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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