[发明专利]用于虚设阵列泄漏减少的相变存储器单元注入有效
| 申请号： | 201580063464.X | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107004693B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | L·J·刘;U·拉索;M·F·海因曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 孟杰雄;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例描述了用于虚设阵列泄漏减少的相变存储器单元注入。在一个实施例中，一种装置包括多个相变存储器(PCM)元件，其中，所述多个PCM元件中的个体PCM元件是虚设单元，所述虚设单元包括底部电极层、设置在所述底部电极层上的选择器件层、设置在所述选择器件层上的中间电极层、设置在所述中间电极层上的相变材料层以及设置在所述相变材料层上的顶部电极层，其中，所述相变材料层被掺杂杂质以减少所述虚设单元的单元泄漏。可以描述和/或要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 虚设 阵列 泄漏 减少 相变 存储器 单元 注入 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：多个相变存储器(PCM)元件，其中，所述多个PCM元件中的个体PCM元件是虚设单元，所述虚设单元包括：底部电极层；设置在所述底部电极层上的选择器件层；设置在所述选择器件层上的中间电极层；设置在所述中间电极层上的相变材料层；以及设置在所述相变材料层上的顶部电极层，其中，所述相变材料层被掺杂杂质以减少所述虚设单元的单元泄漏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
