[发明专利]光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法

摘要

提出一种光电子半导体组件(100)，所述光电子半导体组件具有半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有主侧(10)，其中主侧(10)包括多个并排设置的发射区(11)。发射区(11)能够单独地且彼此独立地控制并且经由所述发射区在运行时分别从半导体芯片(1)中耦合输出辐射。将进行反射的分离壁(30)施加到主侧(10)上，所述分离壁设置在相邻的发射区(11)之间并且在主侧(10)的俯视图中至少部分地包围发射区(11)。此外，将具有朝向半导体芯片(1)的下侧(41)和背离的上侧(42)的转换元件(4)施加到主侧(10)上。分离壁(20)由与半导体芯片(1)的半导体材料不同的材料形成，并且沿远离主侧(10)的方向超出半导体芯片(1)。转换元件(4)至少部分地遮盖至少一个发射区(11)并且与该发射区(11)机械稳定地连接。转换元件(4)的下侧(41)在被遮盖的发射区(11)的区域中沿远离主侧(10)的方向超出分离壁(20)最多为分离壁(20)的高度的10％。

主权项

一种光电子半导体组件(100)，所述光电子半导体组件具有：‑半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有主侧(10)，其中所述主侧(10)包括多个并排设置的发射区(11)，所述发射区能够单独地且彼此独立地控制并且经由所述发射区在运行时分别从所述半导体芯片(1)中耦合输出辐射，‑进行反射的分离壁(30)，所述分离壁施加到所述主侧(10)上并且与主侧(10)直接接触，所述分离壁设置在相邻的发射区(11)之间并且在所述主侧(10)的俯视图中至少部分地包围所述发射区(11)，‑至少一个转换元件(4)，所述转换元件施加到所述主侧(10)上，所述转换元件具有朝向所述半导体芯片(1)的下侧(41)和背离所述半导体芯片(1)的上侧(42)，其中‑所述分离壁(20)由与所述半导体芯片(1)的半导体材料不同的材料形成，‑所述分离壁(20)沿远离所述主侧(10)的方向超出所述半导体芯片(1)，‑所述转换元件(4)至少部分地遮盖至少一个发射区(11)并且与该发射区(11)机械稳定地连接，‑所述转换元件(4)的所述下侧(41)在被遮盖的发射区(11)的区域中沿远离所述主侧(10)的方向超出所述分离壁(20)最多为所述分离壁(20)的高度的10％，‑所述分离壁(20)和所述转换元件(4)是所述半导体组件(100)的并排地施加到所述主侧(10)上的部件，使得在所述分离壁(20)与所述半导体芯片(1)之间的机械连接以及在所述转换元件(4)与所述半导体芯片(1)之间的机械连接不通过同一连接剂来建立。