[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法

摘要

SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。

主权项

1.一种肖特基势垒二极管，其具备半导体基板和与所述半导体基板的表面接触的阳极电极，其中，所述半导体基板具备：p型接触区，其与所述阳极电极接触；n型漂移区，其与所述阳极电极肖特基接触，所述p型接触区具备：第一p型区域，其在所述阳极电极与所述半导体基板的接触面处形成闭环，且具有以曲线状延伸的角部；第二p型区域，其在所述接触面处被配置于所述第一p型区域的内周部，且与所述角部连接；边缘填充部，其在所述第一p型区域与所述第二p型区域的连接部处与所述第一p型区域和所述第二p型区域相接，在将所述第一p型区域的在未与所述边缘填充部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将所述第二p型区域的在未与所述边缘填充部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，所述第一延长线与所述第二延长线以锐角交叉，所述边缘填充部填充被形成在所述第一延长线与所述第二延长线之间的锐角边缘，所述第二p型区域在所述接触面处以带状延伸，所述锐角为θ，所述接触面内的所述角部的宽度为W1，所述接触面内的所述第二p型区域的宽度为W2，与将所述锐角二等分的直线正交的方向上的所述接触面内的所述边缘填充部的位置处的所述p型接触区的最大宽度为Wa，所述第一p型区域和所述第二p型区域的复合宽度为Wc，Wa与Wc相比较宽，Wc＝(W1+W2)/cos(θ/2)。