[发明专利]用于先进互连应用的超薄电介质扩散阻挡层与蚀刻终止层有效
| 申请号： | 201580068587.2 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107112278B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | D·帕德希;陈一宏;K·陈;A·B·玛里克;A·T·迪莫斯;M·斯利尼瓦萨恩 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;C23C16/30;C23C16/452;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此所述的实施例一般涉及含硅与铝层的形成。在此所述的包法可包括：将基板定位在工艺腔室的处理区域中；输送工艺气体到该处理区域，该工艺气体包含含铝气体与含硅气体；活化反应物气体，该反应物气体包含含氮气体、含氢气体、或上述的组合物；输送该反应物气体到该工艺气体以产生沉积气体，该沉积气体将含硅与铝层沉积在该基板上；及净化该处理区域。可执行上述步骤一或更多次以沉积蚀刻终止层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 先进 互连 应用 超薄 电介质 扩散 阻挡 蚀刻 终止 | ||
【主权项】：
一种沉积层的方法，包含以下步骤：将基板定位在工艺腔室的处理区域中；输送工艺气体到所述处理区域，所述工艺气体包含含铝气体与含硅气体；活化反应物气体，所述反应物气体包含含氮气体、含氢气体、或上述的组合物；输送所述反应物气体到所述工艺气体以产生沉积气体，所述沉积气体将含硅与铝层沉积在所述基板上；及净化所述处理区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
