[发明专利]标记半导体封装的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体装置的方法，该方法可包括提供晶圆，该晶圆包括多个半导体晶粒，其中各半导体晶粒包括作用表面和与该作用表面相对的背侧。可用涂布机器将光敏层形成于该晶圆上方和该晶圆内的该多个半导体晶粒中的每一个的背侧上。可用数字曝光机器和显影剂在用于该多个半导体晶粒中的每一个的光敏层内形成识别标记，其中该识别标记的厚度小于或等于该光敏层的厚度的50％。该光敏层可被固化。可将该晶圆单切成多个半导体装置。

主权项

1.一种制作半导体装置的方法，所述方法包括：提供经重构晶圆，其包括与囊装物材料耦接的多个半导体晶粒，该囊装物材料设置在该多个半导体晶粒的侧表面之间且接触所述侧表面，其中各半导体晶粒包括作用表面和与所述作用表面相对的背侧，所述侧表面从所述作用表面延伸至背侧；用涂布机器将多层材料形成于所述经重构晶圆上和所述经重构晶圆内的所述多个半导体晶粒中的每一个的背侧上，所述多层材料包含非光敏层和光敏层；在用于所述多个半导体晶粒中的每一个的所述多层材料的所述光敏层中形成识别标记，同时所述多层材料在所述经重构晶圆上，用数字曝光机器和显影剂通过移除所述光敏层的部分来形成用于所述半导体晶粒中的每一个的识别标记，所述识别标记编码唯一产品信息，该唯一产品信息包含从其获取所述多个半导体晶粒中的每一个的原生半导体晶圆的标识和该原生半导体晶圆内的位置；固化所述光敏层；以及通过所述囊装物材料将所述经重构晶圆单切以形成多个半导体装置，其中在所述多层材料的光敏层中形成用于所述多个半导体晶粒中的每一个的识别标记之后进行所述经重构晶圆的单切。