[发明专利]三维3D集成电路及其中使用的方法有效

专利信息
申请号: 201580069678.8 申请日: 2015-12-17
公开(公告)号: CN107111573B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 李圣奎;卡拉姆威尔·辛格·查塔;杜杨;卡姆比兹·萨玛迪 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F13/42;H01L23/48;H01L23/50;H01L27/06
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 详细描述中所揭示的方面包含采用分布式穿硅通孔TSV场的三维3D集成电路IC3DIC中的存储器控制器放置。就此来说,在一个方面中,基于所述分布式TSV场内的中央存储器控制器放置方案将存储器控制器安置在3DIC中。可将所述存储器控制器放置在多个TSV场内的几何中心处以在所述存储器控制器与所述多个TSV场中的每一者之间提供大约相等线长度。在另一方面中,基于分布式存储器控制器放置方案将多个存储器控制器提供在3DIC中,其中所述多个存储器控制器中的每一者经放置邻近于所述多个TSV场中的相应TSV场。通过基于所述3DIC中的所述中央存储器控制器放置方案及/或所述分布式存储器控制器放置方案而安置所述存储器控制器,使存储器存取请求的等待时间最小化。
搜索关键词: 三维 集成电路 其中 使用 方法
【主权项】:
一种三维3D集成电路IC 3DIC,其包括:多个半导体IC层;存储器控制器电路,其安置在所述多个半导体IC层中的半导体IC层中且耦合到一或多个存储器总线;至少一个处理器核心,其安置在所述多个半导体IC层中的至少一者中且以通信方式耦合到所述存储器控制器电路;至少一个存储器IC,其安置在所述多个半导体IC层中的至少一者中;多个分布式穿硅通孔TSV场,每一分布式穿硅通孔TSV场经配置以电互连所述多个半导体IC层,其中所述多个分布式TSV场中的每一者包括多个TSV;以及一或多个存储器存取TSV场,其选自所述多个分布式TSV场且经配置以提供到所述至少一个存储器IC的互连;其中所述一或多个存储器总线中的每一者经由所述一或多个存储器存取TSV场中的相应存储器存取TSV场连接到所述至少一个存储器IC;其中所述存储器控制器电路经配置以在所述至少一个处理器核心与所述至少一个存储器IC之间服务存储器存取请求。
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