[发明专利]制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底以及包括该光提取基底的有机发光二极管

摘要

本发明涉及制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底以及包括该光提取基底有机发光二极管，更具体地，涉及制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底以及包括该光提取基底有机发光二极管，所述方法通过在基质层上形成可以引起由有机发光二极管发射的光的散射的裂纹来使发射的光的路径复杂化或多样化，从而进一步改善有机发光二极管的光提取效率。为此，本发明中提供一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法，所述方法包括：混合物制备步骤，通过将包含第一金属氧化物的溶胶‑凝胶溶液与由具有与第一金属氧化物的折射率不同的折射率的第二金属氧化物组成的多个散射颗粒混合来制备混合物；混合物涂覆步骤，在基体基底上涂覆混合物；混合物烧制步骤，烧制已经被涂覆的混合物，以在基体基底上形成基质层，所述基质层包括第一金属氧化物，并且多个散射颗粒分散在基质层的内部，其中，在混合物烧制步骤中，由于基体基底与第一金属氧化物之间的热膨胀系数(CTE)的差异，在基质层上形成能够引起由有机发光二极管发射的光的散射的裂纹。

主权项

1.一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法，所述方法包括：通过将包含第一金属氧化物的溶胶‑凝胶溶液与由具有与第一金属氧化物的折射率不同的折射率的第二氧化物形成的多个散射颗粒混合来制备混合物；使用所述混合物涂覆基体基底；烧制涂覆基体基底的混合物，以在基体基底上形成基质层，所述基质层由第一金属氧化物形成，并且具有分散在其中的所述多个散射颗粒，其中，由于基体基底与第一金属氧化物之间的热膨胀系数的差异，而在基质层中形成能够散射由有机发光二极管发射的光的裂纹，其中，在制备混合物的步骤中，第一金属氧化物包括金红石TiO₂，其中，在烧制混合物之后，在基质层内形成多个不规则形状的孔隙，其中，第二氧化物包括SiO₂和第二金属氧化物中的至少一种。