[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201580074020.6 | 申请日： | 2015-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN107210332B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 河面英夫;田口晃一;王丸武志 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在基板(1)之上形成有：第1及第2电路(2，3)；光耦合器(4)；以及基板温度监视电路(5)。光耦合器(4)具备一次侧发光二极管(6)和受光元件(7)，该一次侧发光二极管(6)将从第1电路(2)输入的电信号转换为光信号，该受光元件(7)将该光信号转换为电信号而输出至第2电路(3)。基板温度监视电路(5)通过读取光耦合器(4)的一次侧发光二极管(6)的Vf电压值，从而对基板(1)的温度进行监视。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；形成于所述基板之上的第1及第2电路；光耦合器，其形成于所述基板之上，具备发光二极管和受光元件，该发光二极管将从所述第1电路输入的电信号转换为光信号，该受光元件将所述光信号转换为电信号而输出至所述第2电路；以及基板温度监视电路，其读取所述光耦合器的所述发光二极管的Vf电压值，从而对所述基板的温度进行监视。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
