[发明专利]使用互补电压电源的分裂栅闪存系统有效
| 申请号： | 201580074175.X | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107210056B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | H.V.陈;A.刘;T.于;H.Q.阮 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C8/08;G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/16;G11C16/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包括第一导电类型的半导体衬底的非易失性存储器装置。非易失性存储器单元阵列位于所述半导体衬底中并按多个行和列布置。每个存储器单元包括位于所述半导体衬底的表面上的第二导电类型的第一区，以及位于所述半导体衬底的所述表面上的所述第二导电类型的第二区。沟道区位于所述第一区和所述第二区之间。字线覆盖在沟道区的第一部分上面并与所述沟道区的第一部分绝缘，并且与第一区相邻且与第一区几乎不或完全不重叠。浮栅覆盖在沟道区的第二部分上面，与第一部分相邻，并与沟道区的第二部分绝缘且与第二区相邻。耦合栅覆盖在浮栅上面。位线连接至第一区。在编程、读取或擦除操作期间，可将负电压施加至选择的或未选择的存储器单元的所述字线和/或所述耦合栅。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 互补 电压 电源 分裂 闪存 系统 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器装置，包括：第一导电类型的半导体衬底；非易失性存储器单元阵列，所述非易失性存储器单元阵列位于所述半导体衬底中按多个行和列布置，每个存储器单元包括：位于所述半导体衬底的表面上的第二导电类型的第一区；位于所述半导体衬底的所述表面上的所述第二导电类型的第二区；位于所述第一区和所述第二区之间的沟道区；字线，所述字线覆盖所述沟道区的第一部分并与所述沟道区的所述第一部分绝缘，以及与所述第一区相邻且与所述第一区几乎不或完全不重叠；浮栅，所述浮栅覆盖所述沟道区的第二部分，与所述第一部分相邻，并与所述沟道区的所述第二部分绝缘且与所述第二区相邻；覆盖所述浮栅的耦合栅；和连接至所述第一区的位线；用于生成第一负电压的电荷泵电路；和控制电路，所述控制电路用于接收命令信号并用于生成多个控制信号来控制将所述第一负电压施加到多个存储器单元的所述耦合栅。
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