[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201580075408.8 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107360730B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 平松孝浩;织田容征 | 申请（专利权）人： | 东芝三菱电机产业系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种能够低制造成本、不对基板造成损伤且高生产效率地成膜膜质良好的钝化膜的太阳能电池的制造方法。而且，在本发明中，制作P型硅基板(4)，将包含铝的溶液雾化，在非真空下将雾化后的溶液对P型硅基板(4)的背面进行喷雾，由此将由氧化铝膜构成的背面钝化膜(5)成膜在P型硅基板(4)的背面上。此后，执行对P型硅基板(4)以及背面钝化膜(5)的界面照射紫外光(21)的光照射处理。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法，具备：(a)制作具有一个主面以及另一个主面的硅基板(4)的步骤；(b)将包含金属元素的溶液(14)雾化的步骤；(c)通过在非真空下将所述雾化后的所述溶液对所述硅基板的一个主面进行喷雾，从而将由金属氧化膜构成的钝化膜(5)成膜在所述硅基板的一个主面上的步骤；(d)使用形成了所述钝化膜的所述硅基板来制作太阳能电池构造的步骤；以及(e)进行对所述钝化膜与所述硅基板的界面照射给定的光(21)的光照射处理的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
